閃存業(yè)面臨重大技術(shù)轉(zhuǎn)折
中國閃存市場峰會在深舉行。
Flash（閃存）正面臨變革的重要時期。隨著技術(shù)的快速發(fā)展，2017下半年Flash原廠三星、東芝、西部數(shù)據(jù)等3D NAND（一種非易失性存儲技術(shù)）紛紛進(jìn)入量產(chǎn)，英特爾、美光新技術(shù)也開始投入商用。原廠之間的技術(shù)競爭急劇升溫，各大數(shù)據(jù)中心、企業(yè)等領(lǐng)域的數(shù)據(jù)存儲也將迎來新的挑戰(zhàn)。
在昨天于深圳舉行的中國閃存市場峰會（CFMS2017）上，來自三星、英特爾、美光、江波龍、Marvell等國內(nèi)外存儲重量級企業(yè)的大咖嘉賓，聚首探討在新挑戰(zhàn)、新機(jī)遇面前，深圳企業(yè)及整個業(yè)界如何滿足中國市場需求及市場創(chuàng)新應(yīng)用，把脈行業(yè)戰(zhàn)略布局的重點(diǎn)及未來發(fā)展趨勢。
●閃存正面臨技術(shù)轉(zhuǎn)折期
存儲芯片市場今年以來的關(guān)鍵詞是：缺貨漲價。
“從2016年二季度開始，閃存市場經(jīng)歷了有史以來持續(xù)時間最長、幅度最高的漲價缺貨潮?！鄙钲谑虚W存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒表示，其中消費(fèi)類閃存產(chǎn)品每GB銷售單價從2016年0.12美元上漲到現(xiàn)在0.3美元以上，主流的eMMC產(chǎn)品上漲幅度超過60%，SSD產(chǎn)品漲價超過80%。
2017年，全球NAND FLASH的總產(chǎn)量達(dá)到1620億GB當(dāng)量，較2016年提升了40%。目前，市場價格依然較高，部分市場的供應(yīng)依然不足。
邰煒認(rèn)為，2016年因2D NAND向3D NAND切換，NAND Flash供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)鏈陷入瘋狂的搶貨潮。3D因?yàn)槭切录夹g(shù)，工藝復(fù)雜，且工期更長，加上芯片的生產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)緊張，這些都是影響目前3D進(jìn)度的重要原因，預(yù)計(jì)部分市場供應(yīng)緊張的狀況還會持續(xù)到年底。此外，除了消費(fèi)類市場外，在企業(yè)級層面，數(shù)據(jù)中心的市場需求也快速增加，數(shù)據(jù)存儲的需求越來越大。
